Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung University of Science and Technology(Jiangong Campus)

電子組

楊素華
SU-HUA YANG - 電子組

基本資料研究興趣研究計畫重要著作其他資料

英文名字:Su-Hua Yang
分  機:15631
電子郵件:shya@nkust.edu.tw
學  歷:國立成功大學電機工程 博士
專  長:

光電子學
光電元件
半導體與元件物理

 

研究興趣

有機發光二極體OLED

本研究目的為製作高穩定性及高亮度白光有機發光二極體;透過發藍光材料DPVBi與黃橘光材料Alq3:DCJTB的相加呈現白光發光。藉由在 ITO基板與電洞傳輸層NPB之間加入一層m-MTDATA來改善復合區中載子的平衡,提升白光有機發光二極體色彩的穩定性。元件在13 V偏壓時有20590 cd/m2最大亮度,其彩色CIE座標為(0.30, 0.31);元件在5 V時有最大功率效率與電流效率,分別為6.01 lm/W及6.2 cd/A。

本研究並在元件上製作出類量子井結構,此種結構可提升載子陷阱與複合可能性,結果將可以使元件在較低的電流密度下形成較高的發光強度。在13 V時有33600cd/m2最大亮度,CIE座標為(0.32, 0.32)。

本研究可應用於固態照明以及平面顯示器背光源,也可利用其高演色性特性製作有機發光顯示器。

奈米結構製作與應用

本研究之目的為利用奈米線尖端放電以及外加電壓形成電場之特性,搭配白光螢光粉製作面發光元件,另外其低熱量、低成本的特性,也可應用在顯示器之背光元件上。

本研究中氧化鋅奈米線利用VS機制成長在沉積銀的矽基板上。氧化鋅奈米線的型態與材料和基板的溫度相關,本研究中奈米鬚、奈米尖端,和排列整齊之奈米棒可分別於溫度620、650及680℃下成長。在光激發光下形成的高強度藍綠光指出奈米結構具有很多的表面缺陷,這些缺陷與氧空缺有著很大的相關性。場發射分析指出氧化鋅的奈米鬚、奈米尖端,和排列整齊之奈米棒其啟動電場分別為4.5,5.8和6.1 V/mm,排列整齊的奈米棒其場發射穩定性較奈米鬚和奈米尖端為高,而其高發射電流密度和高長寬比促成場發射電流密度的提升。本研究之氧化鋅奈米鬚、奈米尖端,和排列整齊的奈米棒其場發射電流密度在連續工作6小時後進行量測,其量測值分別為2.05,4.68和20.5 mA/cm2。

螢光粉

本研究目的在於薄膜螢光面之製作;我們利用射頻(RF)濺鍍法完成發光薄膜層之製作。在螢光面結構中,我們於發光層與ITO基板中加入了緩衝層,藉由此緩衝層之顆粒大小,結晶性與導電性,可以改變螢光面之表面狀態及其光激發光及陰極發光強度。

本研究中將氧化鋅粉末摻雜各種稀土元素製作出不同發光光譜之螢光粉,再透過適當比例混合藍綠色螢光粉與橘黃色螢光粉完成白光螢光粉製備。亮度部分在6 W的UV燈管激發時,白光螢光粉可以發出約160 cd/m2的亮度。在此研究中,我們亦製作白光電激發光光源,其光電特性正在評估中。