Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung University of Science and Technology(Jiangong Campus)

電子組

洪冠明
KUAN-MING HUNG - 電子組

基本資料研究興趣研究計畫重要著作其他資料

英文名字:K.-M. Hung
分  機:15628
電子郵件:kmhung@nkust.edu.tw
學  歷:國立清華大學電機 博士
專  長:

半導體物理理論
量子元件理論與模擬
光電元件理論與模擬

研究興趣

 

High-K材料之物性探討

High-K材料是目前ULSI製程中常用之介電材料,其主要功能是藉由高介電常數來增加介電層的厚度,以降低閘極漏電電流並提升閘極崩潰電壓之目的。目前常用的材料有HfO2及ZrO2,但該材料與矽及金屬接面時,容易產生缺陷而造成費米能階的釘札效應,進而影響MOS之臨界電壓。因此,如何保有高介電常數,又不會產生缺陷,將是眼前ULSI製程中亟待解決的問題。本研究群是以第一原理的理論方法,探討各種High-K材料之塊材與其他半導體材料之接面特性。

 

GeSn合金材料之光電特性探討

四價半導體材料(如Si、Ge等)之所以不適合用來製造光電元件,最主要的原因是大部分的四價半導體材料為間接能隙。但近年來的研究中發現,GeSn合金具有直接能隙的特性,因而引起學界的注意與興趣。本研究群是以第一原理的理論方法,探討GeSn、SiSn等合金材料之能帶與光電特性,及其與其他半導體材料之接面性質。

 

低維度量子元件之光電特性探討

低維度量子元件(如量子井、量子線與量子點)已廣泛的用於光電元件及量子資訊元件中,如LED、雷射二極體及量子位元等,同時它亦是傳統MOSFET奈米化後必經之路。低維度量子元件具有許多獨特的性質,如本團隊近年來所發現之激子-光聲子共振特性。該性質具有十分有用之應用價值,如自我冷卻之雷射二極體的應用。目前本團隊正擴展該共振性質於其他系統,以理論模擬證明其可行性,以為未來開創更有用之奈米元件及其應用。

 

N-based HEMT之模擬分析

HEMT (High Electron Mobility Transistor)是一種適用於高頻高速放大器的元件,尤其是高功率的微波元件。過去該元件多以GaAs材料製造為主,但其功率密度表現則不如GaN。因此,近年來許多專家學者均投入N-based之HEMT的研製,希望能製造出具更高功率密度之HEMT元件。本團隊將以理論模擬來探討元件結構(含材料)對元件之影響,並以第一原理的理論方法,探討GaN與其他半導體材料之接面性質。

奈米MOSFET之電性探討

奈米MOSFET是現今半導體技術之趨勢,當元件奈米化後將出現許多量子傳輸現象,傳統的元件理論將不再適用於奈米MOSFET。本團隊過去曾以理論證明奈米MOSFET中之扭場散射效應,該效應在元件奈米化後將有不可忽視的影響。本團隊將持續該研究,並探討該效應於各種元件結構下之影響。